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Partie #: MZ-77E4T0B/AM

Code de l'article: SSSAS00108

SAMSUNG (870 EVO) - Disque électronique SATA III de 4 To | lecture : 560 Mo/s, écriture : 530 Mo/s

Name: SAMSUNG (870 EVO) - Disque électronique SATA III de 4 To
Brand: SAMSUNG
SKU: SSSAS00108
Price: 529.99 CAD
Availability: SoldOut

SAMSUNG

Partie #: MZ-77E4T0B/AM

Code de l'article: SSSAS00108

SAMSUNG (870 EVO) - Disque électronique SATA III de 4 To | lecture : 560 Mo/s, écriture : 530 Mo/s

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Le dernier modèle de la série SSD de Samsung est enfin arrivé. Le 870 EVO s'appuie sur la technologie SSD de pointe de Samsung, offrant un rendement, une fiabilité et une compatibilité améliorées pour répondre aux besoins de tous, des créateurs de contenu aux professionnels des TI, en passant par les utilisateurs quotidiens.

Période de retour	15 jours
période d'échange pour défaut	90 jours

Période de retour	15 jours
période d'échange pour défaut	90 jours

Marque	SAMSUNG
Série	870 EVO
Numéro de pièce du fabricant	MZ-77E4T0B/AM
Type de disque SSD	Interne
SSD Facteur de forme	2.5"
Capacité du disque électronique	4To
Type de mémoire SSD	MLC
Interface SSD	SATA
Interface	SATA III 6GB/s
Average Power Consumption (System Level)	Moyenne : 2,5 W <br> Maximum : 5,0 W (mode rafale) <br> La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système.
Capacité	4 To
Contrôleur	Samsung MKX Controller
Type d'appareil	Disque électronique interne
Dimensions	100 X 69.85 X 6.8 (mm)
Fiabilité (MTBF)	1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
Lecture aléatoire (4 Ko, QD1)	Jusqu'à 13 000 IOPS en lecture aléatoire <br> Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système <br> Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Lecture aléatoire (4 Ko, QD32)	Jusqu'à 98 000 IOPS en lecture aléatoire <br> Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système <br> Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Écriture aléatoire (4 Ko, QD1)	Jusqu'à 36 000 IOPS en écriture aléatoire <br> Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système <br> Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Random Write (4KB, QD32)	Jusqu'à 88 000 IOPS en écriture aléatoire <br> Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système <br> Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Sequential Read	Jusqu'à 560 Mo/s en lecture séquentielle. Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système.
Sequential Write	Jusqu'à 530 Mo/s en écriture séquentielle <br> Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système <br> Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite<br>

Marque	SAMSUNG
Série	870 EVO
Numéro de pièce du fabricant	MZ-77E4T0B/AM
Type de disque SSD	Interne
SSD Facteur de forme	2.5"
Capacité du disque électronique	4To
Type de mémoire SSD	MLC
Interface SSD	SATA
Interface	SATA III 6GB/s
Average Power Consumption (System Level)	Moyenne : 2,5 W <br> Maximum : 5,0 W (mode rafale) <br> La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système.
Capacité	4 To
Contrôleur	Samsung MKX Controller
Type d'appareil	Disque électronique interne
Dimensions	100 X 69.85 X 6.8 (mm)
Fiabilité (MTBF)	1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
Lecture aléatoire (4 Ko, QD1)	Jusqu'à 13 000 IOPS en lecture aléatoire <br> Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système <br> Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Lecture aléatoire (4 Ko, QD32)	Jusqu'à 98 000 IOPS en lecture aléatoire <br> Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système <br> Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Écriture aléatoire (4 Ko, QD1)	Jusqu'à 36 000 IOPS en écriture aléatoire <br> Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système <br> Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Random Write (4KB, QD32)	Jusqu'à 88 000 IOPS en écriture aléatoire <br> Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système <br> Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Sequential Read	Jusqu'à 560 Mo/s en lecture séquentielle. Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système.
Sequential Write	Jusqu'à 530 Mo/s en écriture séquentielle <br> Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système <br> Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite<br>

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